[베리타스알파=김하연 기자] GIST 연구팀은 반도체 소자의 물리적 손상 없이 50~300℃의 저온에서 그래핀을 대면적으로 합성할 수 있는 새로운 공정기술을 개발했다. 이러한 내용의 연구 논문을 네이처(Nature) 자매지인 사이언티픽 리포츠(Scientific Reports)를 통해 발표했다.

함문호 교수는 “이번에 개발한 그래핀 저온 합성 기술은 그래핀의 활용 분야를 확장할 수 있고 현재의 반도체 공정과 호환이 가능해 유연성 기판이나 반도체 소자 위에 그래핀을 직접 합성할 수 있다”며 “반도체 소자와 배선, 유연 소자 등의 그래핀 기반 미래형 전자소자의 산업화와 실용화를 앞당기는 데 기여할 것으로 기대한다”고 말했다.

이번 연구는 한국연구재단의 글로벌프론티어사업과, 산업통상자원부와 한국반도체연구조합이 공동 지원하는 미래반도체소자 원천기술개발사업의 지원을 받아 진행됐다. 
 

▲ GIST 연구팀은 반도체 소자의 물리적 손상 없이 50~300℃의 저온에서 그래핀을 대면적으로 합성할 수 있는 새로운 공정기술을 개발했다. /사진=GIST 제공

 
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