[베리타스알파 = 조익수 기자] 전북대학교 연구진이 기존보다 저항과 균일도가 우수하고 전자 이동이 매우 좋은 차세대 반도체 기판을 제작할 수 있는 핵심 기술을 개발했다. 화제의 주인공은 전북대 반도체과학기술학과 최철종·심규환 교수팀. 이들은 게르마늄(Ge) 에피층을 기존에 많이 사용되고 있는 실리콘(Si) 반도체 기판에 성장한 구조의 에피기판을 제작했다고 21일 밝혔다.
‘GOS(Ge-on-Si) 에피기판’이라 이름 붙여진 이 신기술은 기존 실리콘 기판에 게르마늄 기판의 우수성까지 더한 기술이어서 전자의 이동도가 매우 높으면서도 표면과 저항의 균일도가 매우 우수하다고 연구진은 밝혔다.
실제로 이번에 개발된 ‘GOS 에피 기판’은 Sub-10nm대 기술에서 게르마늄(Ge)을 중심으로 이용하는 차세대반도체의 핵심요소로, 게르마늄(Ge)을 기반으로 반도체 소자를 제작하는 ‘Ge Fin-FET’나 ‘Ge Wire-FET’와 같은 차세대 반도체의 연구개발의 기초를 제공하게 될 것으로 연구진을 내다보고 있다.
특히 전북대 연구진은 자체 제작한 에피장비(RTCVD)를 이용하여 이번 기술을 개발해 GOS 에피기판의 공정기술은 물론 차세대반도체의 핵심인 에피 장비의 국산화와 함께 고부가가치의 기술 개발도 모색할 수 있을 것으로 기대된다.
최철종 교수(반도체물성연구소장)는 “외국은 IBM이나 Intel, TSMC, IMEC, MIT 등 주요 기업 및 연구기관에서 게르마늄(Ge)를 기반으로 하는 차세대 CMOS에 대한 기술개발이 매우 활발하지만 국내는 아직 실리콘 반도체에만 주력하고 있는 상황”이라며 “이번 신기술을을 통해 현재 4건의 특허 출원과 12건의 SCI논문 발표 등이 이뤄져 있는 상태이기 때문에 GOS 에피기판의 국산화 및 수출 등이 기대돼 우리나라가 반도체 산업 강국의 위상을 더욱 높일 수 있을 것”이라고 말했다.
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